SST39VF6402B芯片解密
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SST39VF6402B FEATURES:
· 组织结构为4米X16
· 单电压读写操作
- 2.7 - 3.6
· 卓越的可靠性
- 耐力:100,000周期(典型)
- 大于100年数据保存期
· 低功耗(典型值在5 MHz)
- 工作电流:10 mA(典型值)
- 待机电流:3μA(典型值)
- 自动低功耗模式:3μA(典型值)
· 硬件Block-Protection/WP#输入引脚
- 顶块保护(前32名KWord)
· 扇区擦除功能
- 制服2 KWord部门
· 块擦除功能
- 制服32 KWord块
· 芯片擦除功能
· Erase-Suspend/Erase-Resume能力
· 硬件复位管脚(RST#)
· 安全ID功能
- 海温:128位;用户:128位
· 快速读取时间:
- 70纳秒
- 90纳秒
· 地址和数据锁存
· 快速擦除和字程序:
- 扇区擦除时间:18毫秒(典型)
- 块擦除时间:18毫秒(典型)
- 芯片擦除时间:40毫秒(典型)
- Word的节目时间:7μs(典型值)
· 自动写时序
- 内部VPP的代
· 尾写检测
- 切换位
- 数据#投票
· CMOS I / O兼容性
· JEDEC标准
- 闪存EEPROM的引脚分配
- 软件兼容的命令序列
- 地址的格式是11位,第A10 - A0
- 块擦除第六总线写周期为30H
- 部门擦除第六总线写周期是50小时
· 封装
- 48引脚的TSOP(12毫米x 20毫米)
- 48球TFBGA封装(8 × 10毫米
详细介绍请参考:
SST39VF6402B数据手册:SST39VF6402B.PDF
· 组织结构为4米X16
· 单电压读写操作
- 2.7 - 3.6
· 卓越的可靠性
- 耐力:100,000周期(典型)
- 大于100年数据保存期
· 低功耗(典型值在5 MHz)
- 工作电流:10 mA(典型值)
- 待机电流:3μA(典型值)
- 自动低功耗模式:3μA(典型值)
· 硬件Block-Protection/WP#输入引脚
- 顶块保护(前32名KWord)
· 扇区擦除功能
- 制服2 KWord部门
· 块擦除功能
- 制服32 KWord块
· 芯片擦除功能
· Erase-Suspend/Erase-Resume能力
· 硬件复位管脚(RST#)
· 安全ID功能
- 海温:128位;用户:128位
· 快速读取时间:
- 70纳秒
- 90纳秒
· 地址和数据锁存
· 快速擦除和字程序:
- 扇区擦除时间:18毫秒(典型)
- 块擦除时间:18毫秒(典型)
- 芯片擦除时间:40毫秒(典型)
- Word的节目时间:7μs(典型值)
· 自动写时序
- 内部VPP的代
· 尾写检测
- 切换位
- 数据#投票
· CMOS I / O兼容性
· JEDEC标准
- 闪存EEPROM的引脚分配
- 软件兼容的命令序列
- 地址的格式是11位,第A10 - A0
- 块擦除第六总线写周期为30H
- 部门擦除第六总线写周期是50小时
· 封装
- 48引脚的TSOP(12毫米x 20毫米)
- 48球TFBGA封装(8 × 10毫米
详细介绍请参考:
SST39VF6402B数据手册:SST39VF6402B.PDF
提供SST39VF6402B IC解密服务,仅限学习、研究等合法用途。
联系方式:010-62245566 13810019655