ST7FLITES2B
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ST7FLITES2B Features:
· 回忆
- 1K或1.5K字节闪存程序单电压与读出保护内存,在电路和在应用编程(ICP和IAP)。 10K的写入/擦除周期保证,数据保存时间:在55 ° C的20年
- 128字节的RAM。
- 128字节的数据读出保护的EEPROM。 300K的写入/擦除周期保证,数据保存时间:在55 ° C的20年
· 时钟,复位和电源管理
- 3级低电压监控器(LVD)和安全加电辅助电压检测器(AVD上)/关闭程序
- 时钟源:内部1MHz的钢筋混凝土1%的振荡器或外部时钟
- 锁相环x4或4或8 MHz内部时钟X8的
- 四省电模式:HALT,主动暂停,等待和慢速
· 中断管理
- 10加TRAP和复位中断向量
- 4个外部(4向量)断线
· 我/ O端口
- 13个多功能双向I / O线
- 9备用功能线
- 6个高灌电流输出
· 2定时器
- 一个8位Lite定时器(LT)的带预分频器包括:看门狗,一实时基地,1个输入捕获。
- 一个12位自动重装定时器(AT)的具有输出比较功能和PWM
· 1通讯接口
- SPI同步串行接口
· 一个/ D转换器
- 8位分辨率为0至VDD
- 固定增益运算放大器的11位分辨率在0至250 mV的范围(@ 5V的VDD)的
- 5个输入通道
· 投稿须知集
- 8位数据操作
- 63个基本指令
- 17个主要的寻址方式
- 8 × 8无符号乘法指令
· 开发工具
- 完整的硬件/软件开发包
详细介绍请参考:
ST ST7FLITES2B技术手册:ST7FLITES2B.PDF
提供ST ST7FLITES2B 芯片解密服务,仅限学习、研究等合法用途。
联系方式:010-62245566 13810019655
· 回忆
- 1K或1.5K字节闪存程序单电压与读出保护内存,在电路和在应用编程(ICP和IAP)。 10K的写入/擦除周期保证,数据保存时间:在55 ° C的20年
- 128字节的RAM。
- 128字节的数据读出保护的EEPROM。 300K的写入/擦除周期保证,数据保存时间:在55 ° C的20年
· 时钟,复位和电源管理
- 3级低电压监控器(LVD)和安全加电辅助电压检测器(AVD上)/关闭程序
- 时钟源:内部1MHz的钢筋混凝土1%的振荡器或外部时钟
- 锁相环x4或4或8 MHz内部时钟X8的
- 四省电模式:HALT,主动暂停,等待和慢速
· 中断管理
- 10加TRAP和复位中断向量
- 4个外部(4向量)断线
· 我/ O端口
- 13个多功能双向I / O线
- 9备用功能线
- 6个高灌电流输出
· 2定时器
- 一个8位Lite定时器(LT)的带预分频器包括:看门狗,一实时基地,1个输入捕获。
- 一个12位自动重装定时器(AT)的具有输出比较功能和PWM
· 1通讯接口
- SPI同步串行接口
· 一个/ D转换器
- 8位分辨率为0至VDD
- 固定增益运算放大器的11位分辨率在0至250 mV的范围(@ 5V的VDD)的
- 5个输入通道
· 投稿须知集
- 8位数据操作
- 63个基本指令
- 17个主要的寻址方式
- 8 × 8无符号乘法指令
· 开发工具
- 完整的硬件/软件开发包
详细介绍请参考:
ST ST7FLITES2B技术手册:ST7FLITES2B.PDF
提供ST ST7FLITES2B 芯片解密服务,仅限学习、研究等合法用途。
联系方式:010-62245566 13810019655