PIC16C56B芯片解密
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PIC16C56B芯片内部程序提取是我们成功破解的芯片之一,而本文,我们也将针对PIC16C56B芯片的主要性能特征进行介绍,供大家在IC解密项目合作中进行技术理解和分析。
PIC16C56B的特性如下:
· 只有33条指令学习
· 所有的指令都是单周期除外(200纳秒)程序分支是双循环
· 12位宽指令
· 8位宽数据
· 七个或八个特殊功能硬件寄存器
· 双级深硬件堆栈
· 直接,间接和相对寻址方式为数据和指令
PIC16C56B芯片内部程序提取是我们成功破解的芯片之一,而本文,我们也将针对PIC16C56B芯片的主要性能特征进行介绍,供大家在IC解密项目合作中进行技术理解和分析。
PIC16C56B的特性如下:
· 只有33条指令学习
· 所有的指令都是单周期除外(200纳秒)程序分支是双循环
· 12位宽指令
· 8位宽数据
· 七个或八个特殊功能硬件寄存器
· 双级深硬件堆栈
· 直接,间接和相对寻址方式为数据和指令
外设特性:
· 8位实时时钟/计数器,8(TMR0的)位可编程的预分频器
· 上电复位(POR)
· 器件复位定时器(DRT)
· 看门狗定时器(WDT),带了自己的片上RC振荡器的可靠运行
· 可编程代码保护
· 省电休眠模式
· 可选的振荡器选项:
- 钢筋混凝土:低成本RC振荡器
- XT:标准晶振/谐振器
- 房协:高速晶振/谐振器
- 唱片:节能,低频率的晶体
CMOS技术:
· 低功耗,高速CMOS的EPROM/ ROM的技术
· 全静态设计
· 宽工作电压和温度范围:
- EPROM的商业/工业2.0V至6.25V
- ROM的商业/工业2.0V至6.25V
- 扩展为2.5V至6.0V的EPROM
- ROM的扩展为2.5V至6.0V
· 低功耗
- <2 mA典型@5V时,4兆赫
- 15mA典型@3V时,32千赫
- <0.6mA典型待机电流(与禁止WDT)@3V时,0 ° C至70℃
详细介绍请参考:
PIC PIC16C56B技术手册:PIC16C56B.PDF